技术研发
技术发展
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项目﹨参数﹨年限 |
2011年 |
2012年 |
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层 数 |
40L |
40L |
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线宽/间距 |
内层 |
50/50um |
50/50um |
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外层 |
50/50um |
50/50um |
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最小机械钻孔孔径 |
100um |
100um |
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厚径比 |
15:1 |
15:1 |
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铜 厚 |
420 um |
420 um |
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阻抗控制 |
±5% |
±5% |
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材 料 |
高频、微波材料 |
M |
M |
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无卤素材料 |
M |
M |
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无铅材料 |
M |
M |
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混压 |
M |
M |
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金属基、芯 |
M |
M |
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高Tg厚铜绕组 |
M |
M |
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HDI |
2＋N＋2 |
P |
M |
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刚挠结合 |
14 |
SV |
P |
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埋入式电容、电阻 |
M |
M |
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埋慈芯 |
M |
M |
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埋光纤 |
M |
M |
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表面处理 |
OSP、沉金、选择性电金、金手指、沉锡、热风整平、喷纯锡、沉银 |
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SMT组装 |
PCB 尺寸：50*50mm-510*460mm；板厚：0.2-3mm；SMD元器件封装：0201；最小节距 ：0.3MM≤PITCH |
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PCB设计 |
计算机、光网络、工控、多媒体、通信类等高速多层高密度PCB布局布线设计;线宽/间距： 75/75; 层数：34L; 高速信号： 12G差分;单板BGA数 ：30; 单板PIN数：40000; |